buffer n. 1.【机械工程】缓冲器,缓冲垫;阻尼器,减震器;消声器。 2.【化学】缓冲,缓冲剂。 3.缓冲者;缓冲物;缓冲国(= buffer state〕。 4.〔计算机〕缓冲存储装置。 oil buffer【机械工程】油压减震器。 vt. 1.【化学】用缓冲剂处理。 2.缓和;缓冲;保护;使不利影响减少。 buffer economy by raising interest rates 以提高利率来保护经济。 The drug buffer-ed his pain. 这剂药减轻了他的病痛。 buffer2 n. 1.【机械工程】抛(光)盘,抛光轮,抛光棒。 2.抛光工人。 n. 1.〔英俚〕无能的人,老派人物。 2.家伙,人。 3.【航海】水手[掌帆]长副手。 He was a bit of buffer. 他有点低能。 an old buffer 老家伙,老糊涂,老朽。
layer n. 1.放置者,铺设者,计划者。 2.【赛马】(一般)赌客。 3.产卵的鸡。 4.【军事】瞄准手。 5.层;阶层;地层;涂层。 6.【植物;植物学】压条,倒伏庄稼。 7.敷设轨。 8.垫片,层板,夹层,膜。 a brick layer 砌砖者。 a mine layer 布雷舰艇。 a bad [good] layer 生蛋少[多]的鸡。 a layer of rock 一层岩石。 boundary layer 边层。 carburized layer 渗炭层。 turberlent layer 紊流附面层。 layers and backers (赛马等的)赌客。 vt. 1.分层砌。 2.用压条法繁殖。 vi. 庄稼倒伏。 n. -ing 分层套穿式时装。
Influence of hole buffer layer cupc on properties of organic light - emitting devices 效应及氮在其中的作用
The middle class is a buffer layer in the structure of social interests 中间阶层是社会利益结构中的缓冲层。
Adds a buffering layer to read and write operations on another stream 将缓冲层添加到另一个流上的读取和写入操作。
Morphology of low temperature buffer layers and its influence on inp epilayer growth 低温缓冲层的表面形貌及对其外延层生长的影响
Study on transmittance of zno based on transparent thin - film transistor with complex insulative buffer layer of al2o3 aln 附银二氧化钛光催化剂的制备及其光催化活性研究
The product is separated from the principle of suction by the absorption layer , a buffer layer , integrated sound insulation layer formed 该产品采用外隔内吸的原理,由吸声层,缓冲层,隔声层综合而成。
( 3 ) the effects of growth pressure of buffer layer on the growth of buffer layer and gan epitaxy , and the morphological evolution during high temperature growth have been investigated ( 3 )研究缓冲层生长压力对缓冲层生长、外延层生长及形貌变化的影响。
It was found that there exist many nanometer - sized holes on the surface of sin buffer layers , and such porous sin layers probably could enhance the lateral growth 在氮化矽缓冲层表面可以发现许多奈米尺寸大小的孔洞,其特性相信可提升之后氮化镓侧向的磊晶成长。
With optimized buffer layer growth parameters , gan epilayer with improved quality has been grown , whose fwhm of ( 0002 ) plane dc - xrd rocking curve is 6 arcmin 以优化的缓冲层生长条件得到质量有明显改善的gan外延层, gan薄膜的( 0002 )面双晶dc - xrd扫描的半高宽为6arcmin 。
Under high drain voltage condition , the results proved that channel electrons are easily ejected into gan buffer layer and be trapped to induce current collapse 在大漏极电压条件下,沟道电子易于注入到gan缓冲层中,并被缓冲层中的陷阱所俘获,耗尽二维电子气,从而导致电流崩塌效应。